К сожалению, эта скидка больше не активна
Добавлено 21. окт 2020Отправка из Китай
Срок действия этой скидки истек. Вот несколько других скидок, которые могут вас заинтересовать:
Характеристики:
Выход USB C1 65Вт = DC 3,3-11В/3A, 5В/3A, 9В/3A, 12В/3A, 15В/3A, 20В/3.25A
Выход USB C2 30Вт = DC 3,3-11В/2.7A, 5В/3A, 9В/3A, 12В/2.5A, 15В/2A, 20В/1.5A
Выход USB A 30Вт = 4,5В/5A, 5В/4.5A, 9В/3A, 12В/2.5A, 20В/1.5A
Выход USB C1 + USB C2 = 45 Вт + 18 Вт (63 Вт)
Выход USB C1 + USB C2 + USB A = 45 Вт + 15 Вт (60 Вт)
Поддержка — SCP, FCP, QC3.0, QC4.0, PD2.0, PD3.0
Особенность GaN — в использовании нитрида галлия вместо кремния в силовых транзисторах. Цель — увеличение устойчивости к высокому нагреву, уменьшение потерь мощности — увеличение КПД, упрощение миниатюризации схем — как следствие поддержка на выходе больших мощностей при компактных размерах.
Выход USB C1 65Вт = DC 3,3-11В/3A, 5В/3A, 9В/3A, 12В/3A, 15В/3A, 20В/3.25A
Выход USB C2 30Вт = DC 3,3-11В/2.7A, 5В/3A, 9В/3A, 12В/2.5A, 15В/2A, 20В/1.5A
Выход USB A 30Вт = 4,5В/5A, 5В/4.5A, 9В/3A, 12В/2.5A, 20В/1.5A
Выход USB C1 + USB C2 = 45 Вт + 18 Вт (63 Вт)
Выход USB C1 + USB C2 + USB A = 45 Вт + 15 Вт (60 Вт)
Поддержка — SCP, FCP, QC3.0, QC4.0, PD2.0, PD3.0
Особенность GaN — в использовании нитрида галлия вместо кремния в силовых транзисторах. Цель — увеличение устойчивости к высокому нагреву, уменьшение потерь мощности — увеличение КПД, упрощение миниатюризации схем — как следствие поддержка на выходе больших мощностей при компактных размерах.
15 комментариев
Добавить комментарий